產品詳情
                    
                    日立FIB-SEM三束系統追求的TEM樣品制備工具
在設備及高性能納米材料的評價和分析領域,FIB-SEM已成為*的工具。
近來,目標觀察物更趨微細化;更薄,更低損傷樣品的制備需求更進一步凸顯。
日立高新公司,整合了高性能FIB技術和高分辨SEM技術,再加上加工方向控制技術以及Triple Beam®*1(選配)技術,推出了新一代產品NX2000
運用高對比度,實時SEM觀察和加工終點檢測功能,可制備厚度小于20 nm的超薄樣品

FIB加工時的實時SEM觀察*2例
樣品:NAND閃存
加速電壓:1 kV
FOV:0.6 µm
加工方向控制技術(Micro-sampling®*3系統(選配)+高精度/高速樣品臺*)對于抑制窗簾效應的產生,以及制作厚度均一的薄膜類樣品給予厚望。

加工方向控制

常規加工時
Triple Beam®*1(選配)可提高加工效率,并能使消除FIB損傷自動化

EB:Electron Beam(電子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦離子束)
Ar:Ar ion beam(Ar離子束)
| 項目 | 內容 | 
|---|---|
| FIB鏡筒 | |
| 分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV | 
| 加速電壓 | 0.5~30 kV | 
| 束流 | 0.05 pA ~ 100 nA | 
| FE-SEM鏡筒 | |
| 分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV | 
| 加速電壓 | 0.5~30 kV | 
| 電子槍 | 冷場場發射型 | 
| 探測器 | |
| 標準検出器 | In-lens 二次電子探測器/樣品室二次電子探測器/背散射電子探測器 | 
| 樣品臺 | X:0 ~ 205 mm Y:0 ~ 205 mm Z:0 ~ 10 mm R:0 ~ 360°連續 T:-5 ~ 60°  | 

                                    

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